美光發佈G11 3D NAND：超400層，位密度翻倍

美光（Micron）公佈了其下一代G11 3D NAND技術。據Tom's Hardware報道，該技術堆疊層數超過400層，位密度達到42 Gb/mm2，接口速度為5400 MT/s，可實現極高容量和性能的SSD。

報道稱，G11 3D NAND的核心指標在於位密度較此前產品翻倍，同時接口速度提升至5400 MT/s，這兩項參數共同指向更大容量與更快讀寫性能的固態硬盤產品。

技術參數與定位

根據Tom's Hardware的報道，G11 3D NAND的關鍵規格包括：超過400層的堆疊結構、42 Gb/mm2的位密度，以及5400 MT/s的接口速度。報道將其描述為可帶來“極致性能”的下一代存儲技術。

Micron's G11 3D NAND promises 42 Gb/mm2 and 5,400 MT/s interface speed, enabling SSDs with extreme capacity and performance.

從參數看，位密度翻倍意味著在相同芯片面積下可容納更多數據，而接口速度的提升則直接關係到SSD的傳輸性能。兩者結合，為高容量、高性能SSD提供了底層支撐。

市場影響與關注點

該技術被定位為存儲芯片技術的重要突破。報道指出，G11 3D NAND對數據中心和消費級存儲市場均有顯著影響，其超高容量與性能特性可能推動相關SSD產品的更新換代。

目前，美光尚未在報道中披露G11 3D NAND的具體量產時間、產品型號或終端設備合作方。後續關注點包括該技術的量產節奏、實際SSD產品的容量與性能表現，以及其在數據中心與消費級市場的落地情況。