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2026-10
美光發佈G11 3D NAND:超400層,位密度翻倍
美光公佈下一代G11 3D NAND技術,堆疊層數超過400層,位密度達42 Gb/mm2,接口速度5400 MT/s。位密度較前代翻倍,為高容量高性能SSD提供底層支撐。該技術對數據中心和消費級存儲市場均有顯著影響,但量產時間與產品型號尚未披露。
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