美光

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242026-10美光發佈G11 3D NAND：超400層，位密度翻倍美光公佈下一代G11 3D NAND技術，堆疊層數超過400層，位密度達42 Gb/mm2，接口速度5400 MT/s。位密度較前代翻倍，為高容量高性能SSD提供底層支撐。該技術對數據中心和消費級存儲市場均有顯著影響，但量產時間與產品型號尚未披露。Tom's Hardware
232026-10美光放棄4F² DRAM架構，轉向先進制程美光結束約二十年的4F² DRAM架構研究，認為該架構未帶來有意義密度優勢且增加製造複雜度與成本，轉而將技術重心指向先進制程升級，以提升DRAM位密度。Tom's Hardware