據Tom's Hardware 10月22日報道，美光（Micron）已放棄對4F² DRAM架構的後續研究，結束在這一技術方向上約二十年的投入。公司認為，該架構並未帶來有意義的密度優勢，反而增加了製造複雜度與成本，並存在根本性的微縮限制。

美光表示，相比繼續縮小存儲單元，更先進的制程技術將在DRAM位密度方面帶來更大收益。這一判斷意味著公司技術路線從架構創新轉向制程演進。

二十年投入後的轉向

4F²架構曾被業界視為提升DRAM存儲密度的一條潛在路徑。美光在該方向上持續研究約二十年，但最終認定其收益不足以支撐繼續投入。

根據報道，美光給出的放棄理由集中在三方面：該架構沒有帶來有意義的密度優勢；增加了製造複雜度與成本；並且存在根本性的微縮限制。這些因素共同削弱了其作為未來DRAM技術路線的可行性。

制程優先的新邏輯

美光認為，更先進的制程技術將比更小的存儲單元帶來更多DRAM位密度方面的收益。這一表態將公司的技術重心明確指向制程升級，而非存儲單元架構的進一步縮小。

Micron believes that more advanced process technologies will present more benefits in terms of DRAM bit density than smaller memory cells.

存儲芯片是AI與計算產業的基礎，頭部廠商的技術路線選擇對行業具有指示意義。美光此次放棄4F²架構，可能影響其他廠商在類似架構方向上的投入判斷。

後續關注

目前披露的信息集中於美光對4F²架構的評估結論與制程優先的取向，尚未涉及具體制程節點、產品時間表或對現有DRAM產品線的影響。後續值得關注的是，美光將如何把資源集中到先進制程研發，以及這一轉向是否引發存儲行業其他頭部廠商的跟進或調整。