存儲芯片
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- 022026-11全球五大存儲廠商營業利潤首超美國五大科技巨頭2026年第三季度，全球五大存儲器廠商合計營業利潤與淨利潤首次超過美國五大科技企業，AI算力需求推高存儲景氣，利潤重心向上游存儲環節轉移。三星與SK海力士二季度合計佔全球HBM收入約83%，韓國10月出口同比增長93.7%，創1974年1月以來最大增幅。
- 012026-11韓國半導體出口全年有望破4000億美元朝鮮日報數據顯示，韓國2026年9月半導體出口額達603億美元，日均約20億美元，全年出口規模有望突破4000億美元。在全球存儲芯片供應持續緊張的背景下，韓國出口表現成為觀察行業景氣度的重要指標；美光同期發放巨額獎金並引入季度利潤獎金機制，其勞資博弈進展亦值得關注。
- 242026-10SK海力士放棄Solidigm IPO 確認在美建3D NAND工廠SK海力士已放棄旗下固態硬盤廠商Solidigm的IPO計劃，同時確認將在美國建設一座3D NAND工廠。報道稱，不利的股市狀況和半導體股價走勢是放棄IPO的原因。工廠選址、投資規模及建設時間表尚未披露。
- 242026-10美光發佈G11 3D NAND：超400層，位密度翻倍美光公佈下一代G11 3D NAND技術，堆疊層數超過400層，位密度達42 Gb/mm2，接口速度5400 MT/s。位密度較前代翻倍，為高容量高性能SSD提供底層支撐。該技術對數據中心和消費級存儲市場均有顯著影響，但量產時間與產品型號尚未披露。
- 232026-10美光放棄4F² DRAM架構，轉向先進制程美光結束約二十年的4F² DRAM架構研究，認為該架構未帶來有意義密度優勢且增加製造複雜度與成本，轉而將技術重心指向先進制程升級，以提升DRAM位密度。