3D NAND

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242026-10美光發佈G11 3D NAND：超400層，位密度翻倍美光公佈下一代G11 3D NAND技術，堆疊層數超過400層，位密度達42 Gb/mm2，接口速度5400 MT/s。位密度較前代翻倍，為高容量高性能SSD提供底層支撐。該技術對數據中心和消費級存儲市場均有顯著影響，但量產時間與產品型號尚未披露。Tom's Hardware