据Tom's Hardware 10月22日报道，美光（Micron）已放弃对4F² DRAM架构的后续研究，结束在这一技术方向上约二十年的投入。公司认为，该架构并未带来有意义的密度优势，反而增加了制造复杂度与成本，并存在根本性的微缩限制。

美光表示，相比继续缩小存储单元，更先进的制程技术将在DRAM位密度方面带来更大收益。这一判断意味着公司技术路线从架构创新转向制程演进。

二十年投入后的转向

4F²架构曾被业界视为提升DRAM存储密度的一条潜在路径。美光在该方向上持续研究约二十年，但最终认定其收益不足以支撑继续投入。

根据报道，美光给出的放弃理由集中在三方面：该架构没有带来有意义的密度优势；增加了制造复杂度与成本；并且存在根本性的微缩限制。这些因素共同削弱了其作为未来DRAM技术路线的可行性。

制程优先的新逻辑

美光认为，更先进的制程技术将比更小的存储单元带来更多DRAM位密度方面的收益。这一表态将公司的技术重心明确指向制程升级，而非存储单元架构的进一步缩小。

Micron believes that more advanced process technologies will present more benefits in terms of DRAM bit density than smaller memory cells.

存储芯片是AI与计算产业的基础，头部厂商的技术路线选择对行业具有指示意义。美光此次放弃4F²架构，可能影响其他厂商在类似架构方向上的投入判断。

后续关注

目前披露的信息集中于美光对4F²架构的评估结论与制程优先的取向，尚未涉及具体制程节点、产品时间表或对现有DRAM产品线的影响。后续值得关注的是，美光将如何把资源集中到先进制程研发，以及这一转向是否引发存储行业其他头部厂商的跟进或调整。