存储芯片
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- 022026-11全球五大存储厂商营业利润首超美国五大科技巨头2026年第三季度，全球五大存储器厂商合计营业利润与净利润首次超过美国五大科技企业，AI算力需求推高存储景气，利润重心向上游存储环节转移。三星与SK海力士二季度合计占全球HBM收入约83%，韩国10月出口同比增长93.7%，创1974年1月以来最大增幅。
- 012026-11韩国半导体出口全年有望破4000亿美元朝鲜日报数据显示，韩国2026年9月半导体出口额达603亿美元，日均约20亿美元，全年出口规模有望突破4000亿美元。在全球存储芯片供应持续紧张的背景下，韩国出口表现成为观察行业景气度的重要指标；美光同期发放巨额奖金并引入季度利润奖金机制，其劳资博弈进展亦值得关注。
- 242026-10SK海力士放弃Solidigm IPO 确认在美建3D NAND工厂SK海力士已放弃旗下固态硬盘厂商Solidigm的IPO计划，同时确认将在美国建设一座3D NAND工厂。报道称，不利的股市状况和半导体股价走势是放弃IPO的原因。工厂选址、投资规模及建设时间表尚未披露。
- 242026-10美光发布G11 3D NAND：超400层，位密度翻倍美光公布下一代G11 3D NAND技术，堆叠层数超过400层，位密度达42 Gb/mm2，接口速度5400 MT/s。位密度较前代翻倍，为高容量高性能SSD提供底层支撑。该技术对数据中心和消费级存储市场均有显著影响，但量产时间与产品型号尚未披露。
- 232026-10美光放弃4F² DRAM架构，转向先进制程美光结束约二十年的4F² DRAM架构研究，认为该架构未带来有意义密度优势且增加制造复杂度与成本，转而将技术重心指向先进制程升级，以提升DRAM位密度。