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242026-10美光发布G11 3D NAND：超400层，位密度翻倍美光公布下一代G11 3D NAND技术，堆叠层数超过400层，位密度达42 Gb/mm2，接口速度5400 MT/s。位密度较前代翻倍，为高容量高性能SSD提供底层支撑。该技术对数据中心和消费级存储市场均有显著影响，但量产时间与产品型号尚未披露。Tom's Hardware
232026-10美光放弃4F² DRAM架构，转向先进制程美光结束约二十年的4F² DRAM架构研究，认为该架构未带来有意义密度优势且增加制造复杂度与成本，转而将技术重心指向先进制程升级，以提升DRAM位密度。Tom's Hardware