据Tom's Hardware 10月23日报道，中国半导体产业通过DUV（深紫外）光刻机的多重曝光技术，已能逼近5nm级制程，但该路径正面临成本持续攀升的挑战。专家指出，芯片面积增大、良率下降和制造周期延长等代价，使进一步升级在经济上难以持续。

DUV多重曝光：突破与代价

报道称，中国将较老的DUV光刻技术延伸到了远超预期的程度。在没有EUV（极紫外）光刻机的情况下，利用多重曝光实现了接近5nm级别的芯片制造。

这种技术路径并非没有代价。多重曝光意味着需要多次光刻和刻蚀步骤，导致芯片面积更大、良率更低、制造周期更长。

专家分析认为，成本、良率和芯片面积这些权衡因素，使得进一步向更先进制程推进在经济上不太可行。报道指出，尽管中国在DUV技术上取得了令人瞩目的进展，但物理和经济上的限制可能阻止其继续缩小制程差距。

经济可行性受质疑

报道援引专家观点称，随着制程节点不断缩小，多重曝光的复杂度和成本将呈指数级增长。每增加一次曝光步骤，都需要额外的掩膜版、光刻胶和工艺时间，同时良率损失也会累积。

这使得在缺乏EUV设备的情况下，继续推进先进制程在经济上难以维持。

专家表示，DUV多重曝光在成本、良率和芯片面积方面的权衡，意味着进一步升级不太可能在经济上可行。

后续关注

目前，中国半导体产业如何在设备限制下平衡技术推进与成本控制，仍是业界关注的焦点。报道未提及具体企业或产品的细节，但指出这一技术路径的可持续性正受到质疑。后续进展值得持续关注。