國產前道光刻機亮出階段性成果，AI芯片路線圖密集更新

本期要點

• 上海微電子展出新一代前道乾式光刻機平台模型
• 特斯拉SI6算力目標為HW4的80倍，Dojo D3轉向芯粒
• 台積電否認研發3D DRAM，重申專注邏輯代工

國產光刻裝備：從“能交付”到“平台化”

第九屆進博會上，上海微電子裝備（SMEE）展出了自主研發的新一代前道乾式光刻機通用技術平台模型。按官方介紹，該平台適配 I-line（365nm）與 KrF（248nm）兩類主流DUV技術路線，高精度物鏡與照明系統、高速雙工件台與掩模台、自動物料傳輸系統、對準調平傳感系統均實現全鏈條自主可控。SMEE 稱，國產前道乾式光刻機成像性能已與國際同類領先產品水平相當，套刻精度、生產效率緊密追趕國際標桿；多台設備已在國內頭部邏輯、存儲量產線長期穩定運行，累計支持產線流片超千萬片，設備有效運行率超92%。(來源: IT之家)

需要區分的是，這次展出的是“通用技術平台模型”，並非新機型量產交付的公告。乾式光刻機服務成熟制程，與ASML主導的ArF浸沒式（193nm）仍不在同一技術層級。但“平台化+全鏈條自主可控”的表述值得注意：它意味著國產裝備的競爭點正從單台設備能否跑通，轉向架構標準化與產線可複製性。92%的有效運行率是產線側指標，比參數更能說明可用性，不過其統計口徑與樣本範圍素材未披露。(來源: IT之家)

AI芯片：特斯拉把推理與訓練拆成兩條路線

特斯拉更新了AI加速器路線圖，並啓用“SI（Super Intelligence）”命名。規劃顯示：SI5/AI5 採用台積電3nm或三星2nm、多芯片模塊封裝，算力為SI4的40倍；SI6/AI6 為2nm級、多芯片模塊，算力目標為SI4的80倍，內存為GDDR7（待定）、144GB。訓練側的Dojo D3放棄D1的晶圓級系統（SoW）架構，轉向多芯粒設計，採用2.5D+3D封裝並搭載堆疊式HBM，狀態為“研發中”。(來源: IT之家)

路線圖里最實質的變化是Dojo的轉向：從依賴分布式片上SRAM的晶圓級方案，改為芯粒加HBM的常規先進封裝路徑。這與馬斯克2025年8月取消晶圓級Dojo項目、2026年8月稱將採用英偉達硬件的表態形成對照，說明自研訓練芯片的架構選擇在向產業主流收斂。但D3制程“待定”、內存“待定”，落地時間與良率仍是空白。(來源: IT之家)

代工邊界：台積電否認碰DRAM

The Information 報道稱，在英偉達要求下，台積電已開始為3D DRAM製造業務制定計劃，由負責先進封裝業務的副總裁徐國晉監督。台積電發言人向 Tom's Hardware 否認該說法，強調公司始終專注於專業集成電路代工這一核心業務。報道同時指出，3D DRAM 對美光、三星、SK海力士等內存廠也仍需數年才能量產，即便台積電推進，至少五年內無法緩解當前內存短缺。(來源: IT之家)

這條線索的價值不在“是否真的在做”，而在它暴露的產業壓力：AI需求推高DRAM價格，內存正從普通商品變成影響交付的戰略資源，邏輯代工龍頭因此被反復追問是否越界。台積電的否認維持了“純代工”的定位，但也意味著短期內存短缺沒有代工側的解法。(來源: IT之家)

其他動向

• 谷歌母公司Alphabet斥資約5.48億美元建倉高通，押注AI數據中心芯片賽道。(來源: 鈦媒體)
• 終端側芯片更新：華碩靈耀16 Air驍龍版搭載3nm驍龍X2 Elite Extreme，18核CPU、NPU算力80TOPS，24GB+1TB售12499元；當貝H5二代電視盒子升級全志H626，469元；摩托羅拉Razr Flex 27據稱將有國行版，搭載第五代驍龍8。(來源: IT之家)