国产前道光刻机亮出阶段性成果，AI芯片路线图密集更新

本期要点

• 上海微电子展出新一代前道干式光刻机平台模型
• 特斯拉SI6算力目标为HW4的80倍，Dojo D3转向芯粒
• 台积电否认研发3D DRAM，重申专注逻辑代工

国产光刻装备：从“能交付”到“平台化”

第九届进博会上，上海微电子装备（SMEE）展出了自主研发的新一代前道干式光刻机通用技术平台模型。按官方介绍，该平台适配 I-line（365nm）与 KrF（248nm）两类主流DUV技术路线，高精度物镜与照明系统、高速双工件台与掩模台、自动物料传输系统、对准调平传感系统均实现全链条自主可控。SMEE 称，国产前道干式光刻机成像性能已与国际同类领先产品水平相当，套刻精度、生产效率紧密追赶国际标杆；多台设备已在国内头部逻辑、存储量产线长期稳定运行，累计支持产线流片超千万片，设备有效运行率超92%。(来源: IT之家)

需要区分的是，这次展出的是“通用技术平台模型”，并非新机型量产交付的公告。干式光刻机服务成熟制程，与ASML主导的ArF浸没式（193nm）仍不在同一技术层级。但“平台化+全链条自主可控”的表述值得注意：它意味着国产装备的竞争点正从单台设备能否跑通，转向架构标准化与产线可复制性。92%的有效运行率是产线侧指标，比参数更能说明可用性，不过其统计口径与样本范围素材未披露。(来源: IT之家)

AI芯片：特斯拉把推理与训练拆成两条路线

特斯拉更新了AI加速器路线图，并启用“SI（Super Intelligence）”命名。规划显示：SI5/AI5 采用台积电3nm或三星2nm、多芯片模块封装，算力为SI4的40倍；SI6/AI6 为2nm级、多芯片模块，算力目标为SI4的80倍，内存为GDDR7（待定）、144GB。训练侧的Dojo D3放弃D1的晶圆级系统（SoW）架构，转向多芯粒设计，采用2.5D+3D封装并搭载堆叠式HBM，状态为“研发中”。(来源: IT之家)

路线图里最实质的变化是Dojo的转向：从依赖分布式片上SRAM的晶圆级方案，改为芯粒加HBM的常规先进封装路径。这与马斯克2025年8月取消晶圆级Dojo项目、2026年8月称将采用英伟达硬件的表态形成对照，说明自研训练芯片的架构选择在向产业主流收敛。但D3制程“待定”、内存“待定”，落地时间与良率仍是空白。(来源: IT之家)

代工边界：台积电否认碰DRAM

The Information 报道称，在英伟达要求下，台积电已开始为3D DRAM制造业务制定计划，由负责先进封装业务的副总裁徐国晋监督。台积电发言人向 Tom's Hardware 否认该说法，强调公司始终专注于专业集成电路代工这一核心业务。报道同时指出，3D DRAM 对美光、三星、SK海力士等内存厂也仍需数年才能量产，即便台积电推进，至少五年内无法缓解当前内存短缺。(来源: IT之家)

这条线索的价值不在“是否真的在做”，而在它暴露的产业压力：AI需求推高DRAM价格，内存正从普通商品变成影响交付的战略资源，逻辑代工龙头因此被反复追问是否越界。台积电的否认维持了“纯代工”的定位，但也意味着短期内存短缺没有代工侧的解法。(来源: IT之家)

其他动向

• 谷歌母公司Alphabet斥资约5.48亿美元建仓高通，押注AI数据中心芯片赛道。(来源: 钛媒体)
• 终端侧芯片更新：华硕灵耀16 Air骁龙版搭载3nm骁龙X2 Elite Extreme，18核CPU、NPU算力80TOPS，24GB+1TB售12499元；当贝H5二代电视盒子升级全志H626，469元；摩托罗拉Razr Flex 27据称将有国行版，搭载第五代骁龙8。(来源: IT之家)