據Tom's Hardware 10月23日報道，中國半導體產業通過DUV（深紫外）光刻機的多重曝光技術，已能逼近5nm級制程，但該路徑正面臨成本持續攀升的挑戰。專家指出，芯片面積增大、良率下降和製造週期延長等代價，使進一步升級在經濟上難以持續。

DUV多重曝光：突破與代價

報道稱，中國將較老的DUV光刻技術延伸到了遠超預期的程度。在沒有EUV（極紫外）光刻機的情況下，利用多重曝光實現了接近5nm級別的芯片製造。

這種技術路徑並非沒有代價。多重曝光意味著需要多次光刻和刻蝕步驟，導致芯片面積更大、良率更低、製造週期更長。

專家分析認為，成本、良率和芯片面積這些權衡因素，使得進一步向更先進制程推進在經濟上不太可行。報道指出，儘管中國在DUV技術上取得了令人矚目的進展，但物理和經濟上的限制可能阻止其繼續縮小制程差距。

經濟可行性受質疑

報道援引專家觀點稱，隨著制程節點不斷縮小，多重曝光的複雜度和成本將呈指數級增長。每增加一次曝光步驟，都需要額外的掩膜版、光刻膠和工藝時間，同時良率損失也會累積。

這使得在缺乏EUV設備的情況下，繼續推進先進制程在經濟上難以維持。

專家表示，DUV多重曝光在成本、良率和芯片面積方面的權衡，意味著進一步升級不太可能在經濟上可行。

後續關注

目前，中國半導體產業如何在設備限制下平衡技術推進與成本控制，仍是業界關注的焦點。報道未提及具體企業或產品的細節，但指出這一技術路徑的可持續性正受到質疑。後續進展值得持續關注。